تراشه K9F4G08U0E-SIB0 مارک SAMSUNG
Voltage Supply
3.3V Device(K9F4G08U0E) : 2.7V ~ 3.6V
Organization
Memory Cell Array : (512M + 16M) x 8bit
Data Register : (2K + 64) x 8bit
Automatic Program and Erase
Page Program : (2K + 64)Byte
Block Erase : (128K + 4K)Byte
Page Size : (2K + 64)Byte
- Random Read : 40 us (Max)
- Serial Access : 25ns(Min.)
- Fast Write Cycle Time
- Page Program time : 400 us
- Block Erase Time : 4.5ms
تماس بگیرید
موجود نیست
نقد و بررسی اجمالی
نمایش ادامه مطلب
نقد و بررسیها0
هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.