تراشه K9F4G08U0E-SIB0 مارک SAMSUNG

دسته:

Voltage Supply

3.3V Device(K9F4G08U0E) : 2.7V ~ 3.6V

Organization

Memory Cell Array : (512M + 16M) x 8bit
Data Register : (2K + 64) x 8bit
Automatic Program and Erase
Page Program : (2K + 64)Byte
Block Erase : (128K + 4K)Byte
Page Size : (2K + 64)Byte

  • Random Read : 40 us (Max)
  • Serial Access : 25ns(Min.)
  • Fast Write Cycle Time
  • Page Program time : 400 us
  • Block Erase Time : 4.5ms
تماس بگیرید
نقد و بررسی اجمالی

 

نمایش ادامه مطلب